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深圳市一晟達(dá)科技有限公司

PCB 設(shè)計(jì),生產(chǎn)服務(wù)專家

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關(guān)于新型微電子封裝技術(shù)的介紹與分析
2014-12-11 11:34:55

1 新型微電子封裝介紹 
    電路產(chǎn)業(yè)已成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的關(guān)鍵,而集成電路設(shè)計(jì)、制造和封裝測試是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大產(chǎn)業(yè)之柱。這已是各級領(lǐng)導(dǎo)和業(yè)界的共識。微電子封裝不但直接影響著集成電路本身的電性能、機(jī)械性能、光性能和熱性能,影響其可靠性和成本,還在很大程度上決定著電子整機(jī)系統(tǒng)的小型化、多功能化、可靠性和成本,微電子封裝越來越受到人們的普遍重視,在國際和國內(nèi)正處于蓬勃發(fā)展階段。新型微電子封裝技術(shù),
2 微電子三級封裝 
    微電子封裝,首先我們要敘述一下三級封裝的概念。一般說來,微電子封裝分為三級。所謂一級封裝就是在半導(dǎo)體圓片裂片以后,將一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片用適宜的封裝形式封裝起來,并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來,使之成為有實(shí)用功能的電子元器件或組件。一級封裝包括單芯片組件(SCM)和多芯片組件(MCM)兩大類。三級封裝就是將二級封裝的產(chǎn)品通過選層、互連插座或柔性電路板與母板連結(jié)起來,形成三維立體封裝,構(gòu)成完整的整機(jī)系統(tǒng),這一級封裝應(yīng)包括連接器、迭層組裝和柔性電路板等相關(guān)材料、設(shè)計(jì)和組裝技術(shù)。這一級也稱系統(tǒng)級封裝。所謂微電子封裝是個(gè)整體的概念,包括了從一極封裝到三極封裝的全部技術(shù)內(nèi)容。我們應(yīng)該把現(xiàn)有的認(rèn)識納入國際微電子封裝的軌道,這樣既有利于我國微電子封裝界與國外的技術(shù)交流,也有利于我國微電子封裝自身的發(fā)展。 
3 新型微電子封裝技術(shù) 
    集成電路封裝的歷史,其發(fā)展主要?jiǎng)澐譃槿齻€(gè)階段。第一階段,在二十世紀(jì)七十年代之前,以插裝型封裝為主。包括最初的金屬圓形(TO型)封裝,后來的陶瓷雙列直插封裝(CDIP)、陶瓷-玻璃雙列直插封裝(CerDIP)和塑料雙列直插封裝(PDIP)。尤其是PDIP,由于性能優(yōu)良、成本低廉又能批量生產(chǎn)而成為主流產(chǎn)品。第二階段,在二十世紀(jì)八十年代以后,以表面安裝類型的四邊引線封裝為主。當(dāng)時(shí),表面安裝技術(shù)被稱作電子封裝領(lǐng)域的一場革命,得到迅猛發(fā)展。與之相適應(yīng),一批適應(yīng)表面安裝技術(shù)的封裝形式,如塑料有引線片式裁體(PLCC)、塑料四邊引線扁平封裝(PQFP)、塑料小外形封裝(PSOP)以及無引線四邊扁平封裝等封裝形式應(yīng)運(yùn)而生,迅速發(fā)展。由于密度高、引線節(jié)距小、成本低并適于表面安裝,使PQFP成為這一時(shí)期的主導(dǎo)產(chǎn)品。第三階段,在二十世紀(jì)九十年代以后,以面陣列封裝形式為主。薄膜多層基板MCM(MCM-D),塑料多層印制板MCM(MCM-L)和厚薄膜基板MCM(MCM- C/D)。 
3.1 3D封裝 
    3D封裝主要有三種類型,即埋置型3D封裝,當(dāng)前主要有三種途徑:一種是在各類基板內(nèi)或多層布線介質(zhì)層中“埋置”R、C或IC等元器件,最上層再貼裝 SMC和SMD來實(shí)現(xiàn)立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱為埋置型3D封裝;第二種是在硅圓片規(guī)模集成(WSl)后的有源基板上再實(shí)行多層布線,最上層再貼裝SMC和 SMD,從而構(gòu)成立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱為有源基板型3D封裝;第三種是在2D封裝的基礎(chǔ)上,把多個(gè)裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行疊層互連,構(gòu)成立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型3D封裝。在這些3D封裝類型中,發(fā)展最快的是疊層裸芯片封裝。原因有兩個(gè)。一是巨大的手機(jī)和其它消費(fèi)類產(chǎn)品市場的驅(qū)動,要求在增加功能的同時(shí)減薄封裝厚度。二是它所用的工藝基本上與傳統(tǒng)的工藝相容,經(jīng)過改進(jìn)很快能批量生產(chǎn)并投入市場。據(jù)Prismarks預(yù)測,世界的手機(jī)銷售量將從2001年的393M增加到2006年的785M~1140M。年增長率達(dá)到15~24%。因此在這個(gè)基礎(chǔ)上估計(jì),疊層裸芯片封裝從目前到 2006年將以50~60%的速度增長。圖6示出了疊層裸芯片封裝的外形。它的目前水平和發(fā)展趨勢示于表3。 
疊層裸芯片封裝有兩種疊層方式,一種是金字塔式,從底層向上裸芯片尺寸越來越小;另一種是懸梁式,疊層的芯片尺寸一樣大。應(yīng)用于手機(jī)的初期,疊層裸芯片封裝主要是把FlashMemory和SRAM疊在一起,目前已能把FlashMemory、DRAM、邏輯IC和模擬IC等疊在一起。疊層裸芯片封裝所涉及的關(guān)鍵技術(shù)有如下幾個(gè)。①圓片減薄技術(shù),由于手機(jī)等產(chǎn)品要求封裝厚度越來越薄,目前封裝厚度要求在1.2mm以下甚至1.0mm。而疊層芯片數(shù)又不斷增加,因此要求芯片必須減薄。圓片減薄的方法有機(jī)械研磨、化學(xué)刻蝕或ADP(Atmosphere DownstreamPlasma)。機(jī)械研磨減薄一般在150μm左右。而用等離子刻蝕方法可達(dá)到100μm,對于75-50μm的減薄正在研發(fā)中;② 低弧度鍵合,因?yàn)樾酒穸刃∮?50μm,所以鍵合弧度高必須小于150μm。目前采用25μm金絲的正常鍵合弧高為125μm,而用反向引線鍵合優(yōu)化工藝后可以達(dá)到75μm以下的弧高。與此同時(shí),反向引線鍵合技術(shù)要增加一個(gè)打彎工藝以保證不同鍵合層的間隙;③懸梁上的引線鍵合技術(shù),懸梁越長,鍵合時(shí)芯片變形越大,必須優(yōu)化設(shè)計(jì)和工藝;④圓片凸點(diǎn)制作技術(shù);⑤鍵合引線無擺動(NOSWEEP)模塑技術(shù)。由于鍵合引線密度更高,長度更長,形狀更復(fù)雜,增加了短路的可能性。使用低粘度的模塑料和降低模塑料的轉(zhuǎn)移速度有助于減小鍵合引線的擺動。目前已發(fā)明了鍵合引線無擺動(NOSWEEP)模塑技術(shù)。 
3.2 焊球陣列封裝(BGA) 
    陣列封裝(BGA)是世界上九十年代初發(fā)展起來的一種新型封裝。 

焊球陣列封裝(BGA)


    BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面,BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是I/O引腳數(shù)雖然增加了,但引腳間距并沒有減小反而增加了,從而提高了組裝成品率;雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,從而可以改善它的電熱性能;厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少;寄生參數(shù)減小,信號傳輸延遲小,使用頻率大大提高;組裝可用共面焊接,可靠性高。這種BGA的突出的優(yōu)點(diǎn):①電性能更好:BGA用焊球代替引線,引出路徑短,減少了引腳延遲、電阻、電容和電感;②封裝密度更高;由于焊球是整個(gè)平面排列,因此對于同樣面積,引腳數(shù)更高。例如邊長為31mm的BGA,當(dāng)焊球節(jié)距為1mm時(shí)有900只引腳,相比之下,邊長為32mm,引腳節(jié)距為 0.5mm的QFP只有208只引腳;③BGA的節(jié)距為1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm,與現(xiàn)有的表面安裝工藝和設(shè)備完全相容,安裝更可靠;④由于焊料熔化時(shí)的表面張力具有“自對準(zhǔn)”效應(yīng),避免了傳統(tǒng)封裝引線變形的損失,大大提高了組裝成品率;⑤BGA引腳牢固,轉(zhuǎn)運(yùn)方便;⑥焊球引出形式同樣適用于多芯片組件和系統(tǒng)封裝。因此,BGA得到爆炸性的發(fā)展。BGA因基板材料不同而有塑料焊球陣列封裝(PBGA),陶瓷焊球陣列封裝(CBGA),載帶焊球陣列封裝(TBGA),帶散熱器焊球陣列封裝(EBGA),金屬焊球陣列封裝(MBGA),還有倒裝芯片焊球陣列封裝(FCBGA。PQFP可應(yīng)用于表面安裝,這是它的主要優(yōu)點(diǎn)。但是當(dāng)PQFP的引線節(jié)距達(dá)到0.5mm時(shí),它的組裝技術(shù)的復(fù)雜性將會增加。在引線數(shù)大于200條以上和封裝體尺寸超過28mm見方的應(yīng)用中,BGA封裝取代PQFP是必然的。在以上幾類BGA封裝中,F(xiàn)CBGA最有·希望成為發(fā)展最快的 BGA封裝,我們不妨以它為例,敘述BGA的工藝技術(shù)和材料。FCBGA除了具有BGA的所有優(yōu)點(diǎn)以外,還具有:①熱性能優(yōu)良,芯片背面可安裝散熱器;② 可靠性高,由于芯片下填料的作用,使FCBGA抗疲勞壽命大大增強(qiáng);③可返修性強(qiáng)。 
    因?yàn)楸砻娼M裝板上已經(jīng)裝有其他元器件,因此必須采用BGA專用小模板,模板厚度與開口尺寸要根據(jù)球徑和球距確定,印刷完畢后必須檢查印刷質(zhì)量,如不合格,必須將PCB清洗干凈并涼干后重新印刷。對于球距為0.4mm以下的CSP,可以不印焊膏,因此不需要加工返修用的模板,直接在PCB的焊盤上涂刷膏狀助焊劑。需要拆元件的PCB放到焊爐里,按下再流焊鍵,等機(jī)器按設(shè)定的程式走完,在溫度最高時(shí)按下進(jìn)出鍵,用真空吸筆取下要拆下的元件,PCB板冷卻即可。 
    FCBGA所涉及的關(guān)鍵技術(shù)包括芯片凸點(diǎn)制作技術(shù)、倒裝芯片焊接技術(shù)、多層印制板制作技術(shù)(包括多層陶瓷基板和BT樹脂基板)、芯片底部填充技術(shù)、焊球附接技術(shù)、散熱板附接技術(shù)等。它所涉及的封裝材料主要包括以下幾類。凸點(diǎn)材料:Au、PbSn和AuSn等;凸點(diǎn)下金屬化材料:Al/Niv/Cu、 Ti/Ni/Cu或Ti/W/Au;焊接材料:PbSn焊料、無鉛焊料;多層基板材料:高溫共燒陶瓷基板(HTCC)、低溫共燒陶瓷基板(LTCC)、 BT樹脂基板;底部填充材料:液態(tài)樹脂;導(dǎo)熱膠:硅樹脂;散熱板:銅。 
3.3 芯片尺寸封裝(CSP) 
CSP(Chip Scale Package)封裝,是芯片級封裝的意思。CSP封裝最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù),其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封CSP封裝裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14,已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況,絕對尺寸也僅有32平方毫米,約為普通的BGA的1/3,僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的 1/6。與BGA封裝相比,同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。 
    芯片尺寸封裝(CSP)和BGA是同一時(shí)代的產(chǎn)物,是整機(jī)小型化、便攜化的結(jié)果。美國JEDEC給CSP的定義是:LSI芯片封裝面積小于或等于 LSI芯片面積120%的封裝稱為CSP。由于許多CSP采用BGA的形式,所以最近兩年封裝界權(quán)威人士認(rèn)為,焊球節(jié)距大于等于lmm的為BGA,小于 lmm的為CSP。由于CSP具有更突出的優(yōu)點(diǎn):①近似芯片尺寸的超小型封裝;②保護(hù)裸芯片;③電、熱性優(yōu)良;④封裝密度高;⑤便于測試和老化;⑥便于焊接、安裝和修整更換。因此,九十年代中期得到大跨度的發(fā)展,每年增長一倍左右。由于CSP正在處于蓬勃發(fā)展階段,因此,它的種類有限多。如剛性基板 CSP、柔性基板CSP、引線框架型CSP、微小模塑型CSP、焊區(qū)陣列CSP、微型BGA、凸點(diǎn)芯片載體(BCC)、QFN型CSP、芯片迭層型CSP 和圓片級CSP(WLCSP)等。CSP的引腳節(jié)距一般在1.0mm以下,有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 和0.25mm等。表2示出了CSP系列。 
    一般地CSP,都是將圓片切割成單個(gè)IC芯片后再實(shí)施后道封裝的,而WLCSP則不同,它的全部或大部分工藝步驟是在已完成前工序的硅圓片上完成的,最后將圓片直接切割成分離的獨(dú)立器件。所以這種封裝也稱作圓片級封裝(WLP) 。因此,除了CSP的共同優(yōu)點(diǎn)外,它還具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):①封裝加工效率高,可以多個(gè)圓片同時(shí)加工;②具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點(diǎn),即輕、薄、短、??;③與前工序相比,只是增加了引腳重新布線(RDL)和凸點(diǎn)制作兩個(gè)工序,其余全部是傳統(tǒng)工藝;④減少了傳統(tǒng)封裝中的多次測試。因此世界上各大型IC封裝公司紛紛投入這類WLCSP的研究、開發(fā)和生產(chǎn)。WLCSP的不足是目前引腳數(shù)較低,還沒有標(biāo)準(zhǔn)化和成本較高。 
CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離,其衰減隨之減少,芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升,這也使得CSP的存取時(shí)間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中,內(nèi)存顆粒是通過一個(gè)個(gè)錫球焊接在PCB板上,由于焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較大,所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱,且熱效率良好,CSP的熱阻為35℃/W,而TSOP熱阻40℃ /W。 
    CSP技術(shù)是在電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代時(shí)提出來的,它的目的是在使用大芯片(芯片功能更多,性能更好,芯片更復(fù)雜)替代以前的小芯片時(shí),其封裝體占用印刷板的面積保持不變或更小。正是由于CSP產(chǎn)品的封裝體小、薄,因此它的手持式移動電子設(shè)備中迅速獲得了應(yīng)用。在1996年8月,日本Sharp公司就開始了批量生產(chǎn)CSP產(chǎn)品;在1996年9月,日本索尼公司開始用日本TI和NEC公司提供的CSP產(chǎn)品組裝攝像機(jī);在1997年,美國也開始生產(chǎn)CSP產(chǎn)品。世界上有幾十家公司可以提供CSP產(chǎn)品,各類CSP產(chǎn)品品種多達(dá)一百種以上。 
    WLCSP所涉及的關(guān)鍵技術(shù)除了前工序所必須的金屬淀積技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等以外,還包括重新布線(RDL)技術(shù)和凸點(diǎn)制作技術(shù)。通常芯片上的引出端焊盤是排到在管芯周邊的方形鋁層,為了使WLP適應(yīng)了SMT二級封裝較寬的焊盤節(jié)距,需將這些焊盤重新分布,使這些焊盤由芯片周邊排列改為芯片有源面上陣列排布,這就需要重新布線(RDL)技術(shù)。焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印刷法。目前仍以電鍍法最為廣泛,其次是焊膏印刷法。重新布線中UBM材料為Al/Niv/Cu、T1/Cu/Ni或Ti/W/Au。所用的介質(zhì)材料為光敏BCB(苯并環(huán)丁烯)或PI(聚酰亞胺)凸點(diǎn)材料有Au、PbSn、AuSn、In等。 
3.4 系統(tǒng)封裝(SIP) 
    實(shí)現(xiàn)電子整機(jī)系統(tǒng)的功能,通常有兩個(gè)途徑。一種是系統(tǒng)級芯片(Systemon Chip),簡稱SOC。即在單一的芯片上實(shí)現(xiàn)電子整機(jī)系統(tǒng)的功能;另一種是系統(tǒng)級封裝(SysteminPackage),簡稱SIP。即通過封裝來實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。從學(xué)術(shù)上講,這是兩條技術(shù)路線,就象單片集成電路和混合集成電路一樣,各有各的優(yōu)勢,各有各的應(yīng)用市場。在技術(shù)上和應(yīng)用上都是相互補(bǔ)充的關(guān)系,作者認(rèn)為,SOC應(yīng)主要用于應(yīng)用周期較長的高性能產(chǎn)品,而SIP主要用于應(yīng)用周期較短的消費(fèi)類產(chǎn)品。 
    SIP 的一個(gè)重要特點(diǎn)是它不定義要建立的會話的類型,而只定義應(yīng)該如何管理會話。有了這種靈活性,也就意味著SIP可以用于眾多應(yīng)用和服務(wù)中,包括交互式游戲、音樂和視頻點(diǎn)播以及語音、視頻和 Web 會議。SIP消息是基于文本的,因而易于讀取和調(diào)試。新服務(wù)的編程更加簡單,對于設(shè)計(jì)人員而言更加直觀。SIP如同電子郵件客戶機(jī)一樣重用 MIME 類型描述,因此與會話相關(guān)的應(yīng)用程序可以自動啟動。SIP 重用幾個(gè)現(xiàn)有的比較成熟的 Internet 服務(wù)和協(xié)議,如 DNS、RTP、RSVP 等。 
    SIP 較為靈活,可擴(kuò)展,而且是開放的。它激發(fā)了 Internet 以及固定和移動 IP 網(wǎng)絡(luò)推出新一代服務(wù)的威力。SIP 能夠在多臺 PC 和電話上完成網(wǎng)絡(luò)消息,模擬 Internet 建立會話。 
    SIP是使用成熟的組裝和互連技術(shù),把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類無源元件如電容、電感等集成到一個(gè)封裝體內(nèi),實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。主要的優(yōu)點(diǎn)包括:①采用現(xiàn)有商用元器件,制造成本較低;②產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期短;③無論設(shè)計(jì)和工藝,有較大的靈活性;④把不同類型的電路和元件集成在一起,相對容易實(shí)現(xiàn)。美國佐治亞理工學(xué)院PRC研究開發(fā)的單級集成模塊(SingleIntegrated Module)簡稱SLIM,就是SIP的典型代表,該項(xiàng)目完成后,在封裝效率、性能和可靠性方面提高10倍,尺寸和成本較大下降。到2010年預(yù)期達(dá)到的目標(biāo)包括布線密度達(dá)到6000cm/cm2;熱密度達(dá)到100W/cm2;元件密度達(dá)到5000/cm2;I/O密度達(dá)到3000/cm2。 
    盡管SIP還是一種新技術(shù),目前尚不成熟,但仍然是一個(gè)有發(fā)展前景的技術(shù),尤其在中國,可能是一個(gè)發(fā)展整機(jī)系統(tǒng)的捷徑。